据相关数据统计，在AI、5G、汽车智能化、物联网等下游应用的推动下，全球半导体总需求未来十年将仍然保持稳定增长。随着应用技术的不断发展，对于半导体材料表征的要求也越来越高，霍尔效应测试是半导体材料的重要测试方法，它可以测得半导体电源模块材料的导电类型、载流子浓度、托移率、电阻率、霍尔系数等参数,同时还可以用于研究半导体中的杂质和电活性缺陷,所以高精度的霍尔表征对于半导体材料尤为关键。
当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。如图所示，若在X方向上通以电流Is，在Z方向上加磁场B，半导体中载流子（电子）将受到洛伦兹力，则在Y方向上半导体两侧产生附加电场---霍尔电场。
将某种半导体材料的霍尔元器件置于待测磁场的相应位置，并使元件平面与磁感应强度B垂直（磁感应强度可由励磁装置提供，恩智NGI 2600系列源表提供励磁电流Im），由NGI N2600源表在其控制端输入精确的恒定工作电流Is，霍尔电压输出端精确测量霍尔电势UH的值。其次，N2600系列源表可提供1、3象限电流源，使控制端输入电流可正反向，励磁电流正反向也可使励磁磁场正反向。
测试数据处理与分析：
在励磁电流Im=0.80000A时，霍尔电压UH与Is的测量数据与关系曲线如下：
表1 U
H-Is Im=0.80000A
| Is(mA) | U1(mV) | U2(mV) | U3(mV) | U4(mV) |  |
| +Im+Is | -Im+Is | -Im-Is | +Im-Is |
| 2.0000 | 20.536 | -19.077 | -19.088 | 20.515 | 19.804 |
| 3.0000 | 28.673 | -30.746 | -30.678 | 28.687 | 29.696 |
| 4.0000 | 38.588 | -41.178 | -40.188 | 38.582 | 39.634 |
| 5.0000 | 47.863 | -51.328 | -51.298 | 47.851 | 49.585 |
| 6.0000 | 57.463 | -61.478 | -61.322 | 57.469 | 59.433 |
| 7.0000 | 66.879 | -71.742 | -71.695 | 66.872 | 69.297 |
| 8.0000 | 76.653 | -82.049 | -82.133 | 76.569 | 79.351 |
| 9.0000 | 86.112 | -92.313 | -92.189 | 86.182 | 89.199 |
| 10.0000 | 95.636 | -102.458 | -102.366 | 95.868 | 99.082 |
N2600系列高精密数字源表还采用七档电流范围设置，可以将接收的数据误差降到最低；源表扫描速度可达1ms每点，能快速的建立扫描，缩短测试时间，有效减少待测物的热磁效应，可以高效满足霍尔效应测试需求。
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